بررسی خواص اپتیکی لایه های نازک نانوبلور تلورید کادمیوم
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - دانشکده علوم پایه
- نویسنده فاطمه حسینی سیانکی
- استاد راهنما حمید رضا قلی پور دیزجی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1390
چکیده
در این پژوهش ابتدا لایه های نازک، روش های لایه نشانی و کاربردهای آن معرفی می شوند. فصل دوم به بررسی ویژگی های اپتیکی لایه های نازک نیمرسانا و روش های اندازه گیری های آن می پردازد. در فصل سوم خواص فیزیکی ماده تلورید کادمیوم معرفی می گردد. خواص اپتیکی لایه های نازک نانوبلور cdte که توسط سایر همکاران آزمایشگاه لایه نازک دانشکده فیزیک دانشگاه سمنان به روش تبخیر حرارتی در فشار خلاء mbar 6-10 بر روی زیر لایه شیشه توسط دستگاه hind hi vac (15f6) رشد داده شده بود، در فصل چهارم مطالعه می شود. تاثیر تغییر در شرایط رشد همچون دمای زیر لایه، ضخامت، استفاده از لایه نشانی خراشان(glad) و چگونگی هدایت شار بخار بر استوکیومتری و خواص اپتیکی لایه ها از جمله میزان عبور، بازتاب، ضریب جذب، ضریب خاموشی، ضخامت بحرانی، ضریب شکست، ثوابت دی الکتریک، گاف نواری و اندازه دانه در این فصل مورد مطالعه قرار گرفته است. علاوه بر این شرایط رشد بهینه برای کاربرد در سلول های خورشیدی معرفی شده اند. دستیابی به اندازه دانه هایی از حدود 20 تا 40 نانومتر منجر به انتقال گاف نواری به انرژی های بالاتر به جهت اثر حبس کوانتومی شده است. اندازه نانو دانه ها با استفاده از مدل نواری سهموی (hbm) و تقریب جرم موثر (ema) تخمین زده شده و با تصاویر fesem مقایسه گردیده اند. فصل آخر به نتیجه گیری و ارائه پیشنهادات برای مطالعات آتی می پردازد.
منابع مشابه
بررسی خواص ساختاری و اپتیکی لایه های نازک اکسید ایندیم قلع
در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ITO) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامتهای اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک های پراش پرتو ایکس (XRD) و بازتاب سنجی اشعه ایکس (XRR) برای آنالیز ساختاری لایه های نازک اس...
متن کاملساخت و مطالعه خواص ساختاری و اپتیکی ساختار دولایه ای تلورید کادمیوم/ سولفید کادمیوم بر روی زیرلایه ITO
در این پژوهش به ساخت و مطالعه خواص ساختاری و اپتیکی، نحوه رشد لایهها و بازده کوانتومی ساختار دولایه ای تلورید کادمیوم/ سولفید کادمیوم بر روی زیرلایه ITO جهت ساخت سلولهای خورشیدی پایه تلورید کادمیوم پرداخته شده است. دولایهای اشاره شده به کمک روش لایهنشانی فیزیکی در فاز بخار (PVD) ساخته شد. به منظور یافتن ساختار بلوری مربوط به هرکدام از لایه ها و یا مشاهده فاز جدید تشکیل شده در قسمت سطح مشترک...
متن کاملکنترل خواص اپتیکی لایه های نازک Cd1-xZnxS توسط عملیات حرارتی
در این تحقیق نانوذرات (x=0.5, 0.8) Cd1-xZnxS به کمک تابش ماکروویو تهیه شدند. خواص ساختاری نانوذرات با استفاده از پراش پرتو ایکس و (FTIR) و (EDAX) مورد بررسی قرار گرفت. نتایج بررسی هایXRD نشان می دهد که ساختار بلوری نانوذراتCd0.5Zn0.5S از نوع مکعبی و نانوذرات Cd0.2Zn0.8S از نوع هگزاگونال می باشد و کوچکتر شدن اندازه بلورک ها وارد شدن Zn در شبکه را گزارش میدهد. طیف سنجی EDAX مقدار واقعی نمونه ها ر...
متن کاملبررسی خواص اپتیکی لایه های نازک مس بر زیرلایه شیشه با روش کرایمرز کرونیگ
مس با خلوص 99.97% را در ضخامت های متفاوت بر زیرلایه شیشه، به روش تبخیر در خلاء با آهنگ 2aº/sec رشد داده ایم. طیف ضریب بازتاب (r) نمونه ها را در فرود تقریبا عمود در بازه طول موج 200nm<λ<3000nm با دستگاه طیف سنجی 500 carry به دست آوردیم و با استفاده از آن، بخش حقیقی و موهومی ضریب شکست (n و k) و ضرایب دی الکتریک (ε2وε1) را با روش کرایمرز کرونیگ (k.k.) به دست آوردیم و با نمونه حجمی مقایسه کردیم. نت...
متن کاملبررسی خواص ساختاری و اپتیکی لایه های نازک اکسید ایندیم قلع
در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ito) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامت های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک های پراش پرتو ایکس (xrd) و بازتاب سنجی اشعه ایکس (xrr) برای آنالیز ساختاری لایه های نازک اس...
متن کاملبررسی خواص الکتریکی و اپتیکی گرافن با زیر لایه BC3
در این مطالعه، خواص الکتریکی و اپتیکی گرافن با زیر لایه BC3 بررسی می شوند. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت بهبود یافته خطی با پتانسیل کامل، بر پایه نظریه تابعی چگالی انجام شده است. محاسبه انرژی کل دو حالت برهم چینش AA و AB نشان می دهد که حالت AB پایدارتر از حالت AA است. محاسبه ساختار نواری نشان می دهد که گرافن با زیرلایه BC3 دارای گاف نواری کوچک به اندازه eV 0.15 در نقطه K است.گاف نواری ایج...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - دانشکده علوم پایه
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023